سنتز و بررسی ویژگی های نانو کامپوزیت BaTiO3/PVA به عنوان گیت دی الکتریک OFET
کد مقاله : 1145-IRANCOMP-FULL
نویسندگان:
1سید کمیل حسینی ماچک پشتی *، 1وحید فلاح حمید آبادی، 2علی بهاری
1دانشجو
2استاد
چکیده مقاله:
گیت دی الکتریک نانوترانزیستورهای اثر میدانی فعلی اکسید سیلیکون است که یک ماده غیرآلی است و دارای مزایایی است اما وقتی در ترانزیستورهای اثر میدانی ضخامت آن به حدود 2 نانومتر کاهش یافت، با مشکلاتی رو به رو شد. از طرف دیگر مواد آلی ثابت دی الکتریک پایینی دارند و تحرک پذیری حامل ها در آن ها کم است. با این اوصاف کامپوزیت آلی – غیرآلی برای گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی آلی را مورد مطالعه قرار دادیم. زیرا مواد کامپوزیتی خواص فیزیکی هر دو جزء آلی و غیر آلی را دارا می باشند و می توانند معایب یکدیگر را برطرف سازند.ماده ی غیرآلی مورد استفاده ما باریم تیتانات(BaTiO3) بود که یک سرامیک مناسب است که به دلیل داشتن ثابت دی الکتریک بالا و اتلاف کم کاربرد فراوانی دارد که با استفاده از روش سل-ژل آن را سنتز کرده وبا پلی وینیل الکل(PVA )که یک پلیمر تجاری در دسترس،ارزان و غیرسمی است وقابلیت محلول شدن در آب را دارد ترکیب کردیم که این امر موجب کاهش جریان نشتی نیز شد همچنین آنالیز هایی نظیر XRD و تصاویر AFM و UV از نمونه ها نیز بیانگر نتایج بسیار خوبی بود در نتیجه با استفاده از نانو کامپوزیت باریم تیتانات(BaTiO3) و ترکیب آن با پلیمر پلی وینیل الکل(PVA ) در محلول آبی، کامپوزیتی ساختیم که دارای ویژگی های مطلوب برای استفاده به عنوان یک گیت دی الکتریک OFET است.
کلیدواژه ها:
نانوکامپوزیت BaTiO3 ، گیت دی الکتریک، روش سل-ژل
وضعیت : مقاله برای ارائه به صورت پوستر پذیرفته شده است